高頻電容器

詳情介紹

技術與性能指標:

標稱電容量:0.001μF-10μF;

額定電壓:2kV-150kV;

有效電流:≤200A;

環(huán)境溫度:-25℃-65℃。

主要用于頻率較高的諧振、濾波、耦合、退耦電路中。